مطالعه ترکیب درصد شیمیایی، ساختار و مورفولوژی لایه های نازک نانو بلور روی سولفید تهیه شده به روش انباشت شیمیایی برای تعیین مکانیسم رشد لایه

تاثیر دمای حمام شیمیائی بر تغییرات نانو ساختار لایه نازک CdS تهیه شده به روش نشست شیمیایی در حمام

تأثیر غلظت عامل کمپلکس‌ساز نمک آمونیم بر خواص ساختاری و نوری لایه نازک نانوساختار سولفید کادمیم تهیه شده به روش نشست شیمیایی

با توجه به اهمیت تهیه لایه‌های نازک نانوساختار نیمه ‌‌هادی‌های نوری گروه II-VI از طریق روش‌های ارزان و ساده شیمیایی، در کار پژوهشی حاضر ضمن استفاده از روش لایه نشانی شیمیایی CBD، در راستای کنترل رشد چنین لایه‌هایی، تاثیر غلظت عامل کمپلکس‌ساز نمک آمونیوم بر خواص ساختاری و نوری لایه‌های نازک CdS تهیه شده به این روش، توسط تکنیک‌های آنالیز XRD، SEM، AFM و UV-Visible مورد مطالعه و بررسی قرار گرفت. ن...

بررسی خواص نوری، ساختاری و مورفولوژیکی لایه های نازک نانو کریستال روی سولفید آلاییده شده با نیکل انباشت شده به روش شیمیایی

در این کار، لایه های نازک نانو کریستالی روی سولفید آلاییده شده با نیکل به روش انباشت شیمیایی در محلول اسیدی ضعیف (6=ph) که شامل نمک اتیلن دی آمین تترا استیک اسید به عنوان عامل کمپلکس ساز و تیواستامید به عنوان منبعی از یون های سولفید است تهیه شده اند. اثر ضخامت، غلظت نیکل آلاییده کننده و دمای بازپخت بر خواص نوری، فتولومینسانس و اندازه ی دانه های نانو کریستالی مطالعه شد. تصاویر میکروسکوپ الکترو...

لایه‌نشانی، مشخصه‌یابی و بررسی خواص الکتریکی نوری لایه نازک نانو ساختار اکسید روی آلاییده شده با منیزیم تهیه شده به روش سل – ژل

اکسید روی (ZnO) به عنوان ماده نیمه ‌رسانا با شکاف نواری مستقیم و پهن، اهمیت زیادی در ساخت قطعات الکترونیکی مانند ترانزیستورهای اثر میدانی و قطعات اپتو الکترونیکی نظیر دیود های نور گسیل و همچنین آشکار سازی نوری دارد. در این پژوهش با استفاده از لایه ‌نشانی به روش سل – ژل، پوشش ‌های لایه نازک از اکسید روی آلاییده شده با درصدهای مختلف منیزیم (6%، 8%، 10%) تولید شد. ایجاد لایه نازک به روش پوشش چرخشی...

تهیه نانو پودر nd:yvo4 به روش شیمیایی و لایه هاینازک آنبه روش انباشت فیزیکی بخار

برایتهیه پودر ازمواد اولیه v2o5 و y2o3 و nd2o3 استفاده شد.

مطالعه نانو ساختار و ریخت شناسی لایه های نازک اکسید زیرکونیوم تهیه شده به روش بازپخت لایه های نازک زیرکونیوم

لایه های نازک زیرکونیوم، به وسیله روش کندوپاش مغناطیسی dc بر روی زیرلایه سیلیکون انباشت شدند و سپس در دماهای ( 750-150) و زمان های متفاوت (min 180و60 ) با شار اکسیژن، بازپخت گردیدند. روش پراش پرتو - x برای مطالعه ساختار بلوری استفاده شد. نتایج، ساختاری مکعبی از فاز ارتورهمبیک اکسید زیرکونیوم برای لایه های بازپخت شده تحت 150 و ساختار مرکبی از منوکلینیک و تتراگونال برای لایه های بازپخت شده در دما...